NTTD4401FR2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTTD4401FR2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: MICRO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTTD4401FR2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTD4401FR2 даташит

 ..1. Size:92K  onsemi
 nttd4401f nttd4401fr2.pdf pdf_icon

NTTD4401FR2

NTTD4401F FETKYt Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V, 1.0 A Schottky Diode, Micro8t Package http //onsemi.com The FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic level MOSFET PRODUCT SUMMARY MOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) Typ ID

Другие IGBT... NTR5198NL, NTRV4101P, NTS2101PT1, NTS4001NT1, NTS4101PT1, NTS4172NT1G, NTS4173PT1G, NTS4409N, 4435, NTTFS3A08PZ, NTTFS3A08PZTAG, NTTFS4821NTAG, NTTFS4823NTAG, NTTFS4824NTAG, NTTFS4928NTAG, NTTFS4929NTAG, NTTFS4930NTAG