Справочник MOSFET. NTTD4401FR2

 

NTTD4401FR2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTTD4401FR2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: MICRO8

 Аналог (замена) для NTTD4401FR2

 

 

NTTD4401FR2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
 nttd4401f nttd4401fr2.pdf

NTTD4401FR2 NTTD4401FR2

NTTD4401FFETKYt Power MOSFETand Schottky Diode-20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V,1.0 A Schottky Diode, Micro8t Packagehttp://onsemi.comThe FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic levelMOSFET PRODUCT SUMMARYMOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, lowleakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) TypID

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM4437 | IXFX64N60P

 

 
Back to Top