NTTS2P02R2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTTS2P02R2
   Código: AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTTS2P02R2

NTTS2P02R2 Datasheet (PDF)

..1. Size:144K onsemi
ntts2p02r2.pdf

NTTS2P02R2Power MOSFET-2.4 Amps, -20 VoltsSingle P-Channel Micro8thttp://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-2.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature Micro-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 90 mW Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Micro8 Mounting Information ProvidedSingle P-Channel P

7.1. Size:74K onsemi
ntts2p03r2-d ntts2p03r2.pdf

NTTS2P03R2Power MOSFET-2.48 Amps, -30 VoltsP-Channel Enhancement ModeSingle Micro8t PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-2.48 AMPERES Miniature Micro8 Surface Mount Package-30 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery85 mW @ VGS = -10 V Micro8 Mounting Information Provided Pb-Free Package

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Liste

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