NTTS2P02R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTTS2P02R2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: MICRO8
Аналог (замена) для NTTS2P02R2
NTTS2P02R2 Datasheet (PDF)
ntts2p02r2.pdf
NTTS2P02R2Power MOSFET-2.4 Amps, -20 VoltsSingle P-Channel Micro8thttp://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)-2.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature Micro-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 90 mW Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Micro8 Mounting Information ProvidedSingle P-Channel P
ntts2p03r2-d ntts2p03r2.pdf
NTTS2P03R2Power MOSFET-2.48 Amps, -30 VoltsP-Channel Enhancement ModeSingle Micro8t PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-2.48 AMPERES Miniature Micro8 Surface Mount Package-30 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery85 mW @ VGS = -10 V Micro8 Mounting Information Provided Pb-Free Package
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FTK6N70F
History: FTK6N70F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918