NTZS3151PT1G Todos los transistores

 

NTZS3151PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTZS3151PT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm

Encapsulados: SOT-563

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NTZS3151PT1G datasheet

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NTZS3151PT1G

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA Applications 195 mW @ -1.8 V Load/Power Switches P-Channel MOSFET Battery Man

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NTZS3151PT1G

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 V Compliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA 195 mW @ -1.8 V Applications P-Channel MO

Otros transistores... NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , NTTS2P03R2 , NTY100N10 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , IRFZ48N , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG .

History: FCP260N65S3 | WMM13N50C4

 

 

 

 

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