NTZS3151PT1G Todos los transistores

 

NTZS3151PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTZS3151PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTZS3151PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V-20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mAApplications195 mW @ -1.8 V Load/Power SwitchesP-Channel MOSFET Battery Man

 5.1. Size:96K  onsemi
 ntzs3151p.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 VCompliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA195 mW @ -1.8 VApplicationsP-Channel MO

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SQJ970EP | BRCS070P03DP | IRFSL4321 | APQ50SN06A | 2SJ195 | AP4506GEM | SST70R380S2

 

 
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