NTZS3151PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTZS3151PT1G
   Código: TX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.17 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.86 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.142 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTZS3151PT1G

NTZS3151PT1G Datasheet (PDF)

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ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V-20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mAApplications195 mW @ -1.8 V Load/Power SwitchesP-Channel MOSFET Battery Man

5.1. Size:96K onsemi
ntzs3151p.pdf

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 VCompliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA195 mW @ -1.8 VApplicationsP-Channel MO

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