NTZS3151PT1G - описание и поиск аналогов

 

NTZS3151PT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTZS3151PT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

Аналог (замена) для NTZS3151PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTZS3151PT1G даташит

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA Applications 195 mW @ -1.8 V Load/Power Switches P-Channel MOSFET Battery Man

 5.1. Size:96K  onsemi
 ntzs3151p.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151P Small Signal MOSFET -20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563 Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http //onsemi.com Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 V Compliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA 195 mW @ -1.8 V Applications P-Channel MO

Другие MOSFET... NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , NTTS2P03R2 , NTY100N10 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , IRFZ48N , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.