Справочник MOSFET. NTZS3151PT1G

 

NTZS3151PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTZS3151PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для NTZS3151PT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTZS3151PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntzs3151p ntzs3151pt1g.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These are Pb-Free Devices 120 mW @ -4.5 V-20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mAApplications195 mW @ -1.8 V Load/Power SwitchesP-Channel MOSFET Battery Man

 5.1. Size:96K  onsemi
 ntzs3151p.pdf pdf_icon

NTZS3151PT1G

NTZS3151PSmall Signal MOSFET-20 V, -950 mA, P-Channel SOT-563Features Low RDS(on) Improving System Efficiency http://onsemi.com Low Threshold VoltageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint 1.6 x 1.6 mm These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 120 mW @ -4.5 VCompliant -20 V 144 mW @ -2.5 V -950 mA195 mW @ -1.8 VApplicationsP-Channel MO

Другие MOSFET... NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG , NTTFS5826NLTAG , NTTS2P02R2 , NTTS2P03R2 , NTY100N10 , NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , RU7088R , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG .

History: RUH30150M | CMI80N06 | FDMS0302S | IRF830ALPBF | SSM2307G

 

 
Back to Top

 


 
.