ECX10N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ECX10N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 14 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.43 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de ECX10N20 MOSFET
ECX10N20 Datasheet (PDF)
ecx10n20.pdf

ECX10N20N CHANNEL LATERAL MOSFETN Channel Lateral MosfetDesigned specifically for linear audio amplifier applicationsHigh-speed for high bandwidth amplifiersReduced Vds satHigh voltage rating - 200VTO-247 plastic packageEnhanced oscillation suppression in multi-device applicationsComplementary P-channel available ECX10P20(T = 25C unless otherwise stated)ABSOLUTE MAXI
Otros transistores... NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , EMB04N03H , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , GPT09N50 , GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B .
History: TPN3R704PL | SD5400CY | WMK13N70EM | NCEP025N60AG | SFB107N200C3 | ISCD3NK80Z
History: TPN3R704PL | SD5400CY | WMK13N70EM | NCEP025N60AG | SFB107N200C3 | ISCD3NK80Z



Liste
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