ECX10N20 Todos los transistores

 

ECX10N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ECX10N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 14 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ECX10N20 Datasheet (PDF)

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ECX10N20

ECX10N20N CHANNEL LATERAL MOSFETN Channel Lateral MosfetDesigned specifically for linear audio amplifier applicationsHigh-speed for high bandwidth amplifiersReduced Vds satHigh voltage rating - 200VTO-247 plastic packageEnhanced oscillation suppression in multi-device applicationsComplementary P-channel available ECX10P20(T = 25C unless otherwise stated)ABSOLUTE MAXI

Otros transistores... NTZD3154NT1G , NTZD3155CT1G , NTZS3151PT1G , 3SK290 , AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , EMB04N03H , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , GPT09N50 , GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B .

History: DH045N04D | BUK968R3-40E | HAT2267H | PHB73N06T

 

 
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