Справочник MOSFET. ECX10N20

 

ECX10N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ECX10N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.43 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для ECX10N20

 

 

ECX10N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  exicon
 ecx10n20.pdf

ECX10N20 ECX10N20

ECX10N20N CHANNEL LATERAL MOSFETN Channel Lateral MosfetDesigned specifically for linear audio amplifier applicationsHigh-speed for high bandwidth amplifiersReduced Vds satHigh voltage rating - 200VTO-247 plastic packageEnhanced oscillation suppression in multi-device applicationsComplementary P-channel available ECX10P20(T = 25C unless otherwise stated)ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top