FIR5N60FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR5N60FG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 42 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR5N60FG

FIR5N60FG Datasheet (PDF)

..1. Size:4070K first silicon
fir5n60fg.pdf

FIR5N60FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FSwitchng Regulator ApplicationFeatures High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=9.8F(Typ.) Low gate charge : Qg=12nC(Typ.) G D S Low RDS(on) :RDS(on)=1.7D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly LocationYAWWWW = Work WeekFIR5N60FFIR5N60F = Specific Device CodeAbsolute maxi

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Liste

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