GPT09N50 Todos los transistores

 

GPT09N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPT09N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

GPT09N50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:292K  champion
 gpt09n50-d-g.pdf pdf_icon

GPT09N50

GPT09N50 GPT09N50DPOWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is des

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History: HGB029NE4SL | FCP16N60N | FDS8333C | TA75333 | MTN2N65I3 | RTL035N03FRA | FSJ9260D

 

 
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