GPT09N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GPT09N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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GPT09N50 datasheet

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GPT09N50

GPT09N50 GPT09N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is des

Otros transistores... AO4400, BUZ48, CEP6030L, CEB6030L, ECX10N20, FHP1906A, FIR5N60FG, FNK30H150, IRFB3206, GPT09N50D, HY1707P, HY1707M, HY1707B, HY1707I, HY1707MF, HY1707PS, HY1707PM