Справочник MOSFET. GPT09N50

 

GPT09N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GPT09N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для GPT09N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT09N50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:292K  champion
 gpt09n50-d-g.pdf pdf_icon

GPT09N50

GPT09N50 GPT09N50DPOWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is des

Другие MOSFET... AO4400 , BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , 2N7002 , GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM .

 

 
Back to Top

 


 
.