GPT09N50D Todos los transistores

 

GPT09N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GPT09N50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de GPT09N50D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GPT09N50D datasheet

 6.1. Size:292K  champion
 gpt09n50-d-g.pdf pdf_icon

GPT09N50D

GPT09N50 GPT09N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is des

Otros transistores... BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , GPT09N50 , AOD4184A , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM , LTP70N06 .

History: 2SK4066-E | IRF623FI | IPB090N06N3 | CS3N50B4 | SI2301B | 2SJ181S | SM9998DSQG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.