GPT09N50D Todos los transistores

 

GPT09N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPT09N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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GPT09N50D Datasheet (PDF)

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GPT09N50D

GPT09N50 GPT09N50DPOWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is des

Otros transistores... BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , GPT09N50 , HY1906P , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM , LTP70N06 .

History: DH012N03U | SKS10N20 | WMM38N60C2 | 2SK1498 | IRLR3105PBF | HSM4435 | IRF830B

 

 
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