GPT09N50D - описание и поиск аналогов

 

GPT09N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GPT09N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для GPT09N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT09N50D даташит

 6.1. Size:292K  champion
 gpt09n50-d-g.pdf pdf_icon

GPT09N50D

GPT09N50 GPT09N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is des

Другие MOSFET... BUZ48 , CEP6030L , CEB6030L , ECX10N20 , FHP1906A , FIR5N60FG , FNK30H150 , GPT09N50 , AOD4184A , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM , LTP70N06 .

History: FTP04N60C | SM4600CSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.