HY1707I Todos los transistores

 

HY1707I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1707I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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HY1707I datasheet

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HY1707I

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features 70V/80A, RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G S Reliable and Rugged S D D G G TO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D S D G G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-220MF-3L D Power Man... See More ⇒

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HY1707I

HY1708MF-VB www.VBsemi.com Disclaimer All products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications and data are subject to change without notice. Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or their representatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er... See More ⇒

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