HY1707I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1707I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1707I

HY1707I Datasheet (PDF)

8.1. Size:6931K hymexa
hy1707.pdf

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 70V/80A,RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10VS Avalanche Rated DSD GGS Reliable and Rugged S DDGGTO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGS D SDGGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-220MF-3LD Power Man

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History: STH80N05

Liste

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