HY1707I Todos los transistores

 

HY1707I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1707I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO262

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HY1707I datasheet

 8.1. Size:6931K  hymexa
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HY1707I

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features 70V/80A, RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G S Reliable and Rugged S D D G G TO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D S D G G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-220MF-3L D Power Man

 9.1. Size:224K  1
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HY1707I

HY1708MF-VB www.VBsemi.com Disclaimer All products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications and data are subject to change without notice. Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or their representatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er

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