HY1707I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1707I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY1707I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1707I даташит

 8.1. Size:6931K  hymexa
 hy1707.pdf pdf_icon

HY1707I

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features 70V/80A, RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G S Reliable and Rugged S D D G G TO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D S D G G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-220MF-3L D Power Man

 9.1. Size:224K  1
 hy1708mf-vb.pdf pdf_icon

HY1707I

HY1708MF-VB www.VBsemi.com Disclaimer All products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications and data are subject to change without notice. Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or their representatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er

Другие IGBT... FHP1906A, FIR5N60FG, FNK30H150, GPT09N50, GPT09N50D, HY1707P, HY1707M, HY1707B, AO4468, HY1707MF, HY1707PS, HY1707PM, LTP70N06, ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2