Справочник MOSFET. HY1707I

 

HY1707I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1707I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для HY1707I

 

 

HY1707I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:6931K  hymexa
 hy1707.pdf

HY1707I HY1707I

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 70V/80A,RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10VS Avalanche Rated DSD GGS Reliable and Rugged S DDGGTO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGS D SDGGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-220MF-3LD Power Man

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top