LTP70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LTP70N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 154 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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LTP70N06 Datasheet (PDF)

1.1. ltp70n06.pdf Size:590K _update-mosfet

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 mΩ, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 mΩ UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

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