Справочник MOSFET. LTP70N06

 

LTP70N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: LTP70N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 80 nC

Время нарастания (tr): 154 ns

Выходная емкость (Cd): 300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для LTP70N06

 

 

LTP70N06 Datasheet (PDF)

1.1. ltp70n06.pdf Size:590K _update-mosfet

LTP70N06 LTP70N06

 LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 mΩ, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 mΩ UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top