Справочник MOSFET. LTP70N06

 

LTP70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LTP70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 154 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для LTP70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LTP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  liteon
 ltp70n06.pdf pdf_icon

LTP70N06

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 0.1. Size:743K  1
 ltp70n06p.pdf pdf_icon

LTP70N06

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... GPT09N50D , HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM , IRF740 , ME7170-G , TP0610T , WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , WMH07N65C2 .

History: SI4953ADY | TF202 | NTMFS5H425NLT1G | HM2301KR | IRFR014A | HSM3202 | IPG20N06S2L-65

 

 
Back to Top

 


 
.