LTP70N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LTP70N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 154 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LTP70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LTP70N06 даташит

 ..1. Size:590K  liteon
 ltp70n06.pdf pdf_icon

LTP70N06

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 0.1. Size:743K  1
 ltp70n06p.pdf pdf_icon

LTP70N06

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Другие IGBT... GPT09N50D, HY1707P, HY1707M, HY1707B, HY1707I, HY1707MF, HY1707PS, HY1707PM, IRF840, ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2