ME7170-G Todos los transistores

 

ME7170-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7170-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 110 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 102 nC

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 514 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0026 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerDFN5x6

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ME7170-G Datasheet (PDF)

1.1. me7170-g.pdf Size:1295K _update-mosfet

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ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power ● RDS(ON)≦2.6mΩ@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ● RDS(ON)≦3.9mΩ@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ● Super high density cell design for extremely lo

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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