ME7170-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ME7170-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 514 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
Аналог (замена) для ME7170-G
ME7170-G Datasheet (PDF)
me7170-g.pdf
ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
me7170-g.pdf
ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R
me7170.pdf
ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
Другие MOSFET... HY1707P , HY1707M , HY1707B , HY1707I , HY1707MF , HY1707PS , HY1707PM , LTP70N06 , 20N60 , TP0610T , WML07N65C2 , WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , WMH07N65C2 , 3N155 .
History: VBI1638 | VBI2658
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM12T08C | AGM1099EL | AGM1095M | AGM628DM1 | AGM628D | AGM628AP | AGMH603H | AGMH6035D | AGMH6018C | AGMH12N10C | AGMH12H05H | AGMH10P15D | AGMH10P15C | AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF
Popular searches
2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56




