Справочник MOSFET. ME7170-G

 

ME7170-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: ME7170-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 102 nC

Время нарастания (tr): 21 ns

Выходная емкость (Cd): 514 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0026 Ohm

Тип корпуса: PowerDFN5x6

Аналог (замена) для ME7170-G

 

 

ME7170-G Datasheet (PDF)

1.1. me7170-g.pdf Size:1295K _update-mosfet

ME7170-G
ME7170-G

ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power ● RDS(ON)≦2.6mΩ@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ● RDS(ON)≦3.9mΩ@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ● Super high density cell design for extremely lo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top