WMG07N65C2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMG07N65C2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.14 Ohm

Encapsulados: TO-251S3

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WMG07N65C2 datasheet

 ..1. Size:636K  way-on
 wml07n65c2 wmh07n65c2 wmm07n65c2 wmo07n65c2 wmp07n65c2 wmg07n65c2.pdf pdf_icon

WMG07N65C2

WML0 MM07N65C 07N65C2, WMH07N65C2, WM C2 WMO0 MG07N65C 07N65C2, WMP07N65C2, WM C2 650 Junction ET 0V 1.0 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce. TO-220F TO TO-25

Otros transistores... HY1707PM, LTP70N06, ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, IRFZ44, WMH07N65C2, 3N155, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF