WMG07N65C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMG07N65C2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.14 Ohm

Тип корпуса: TO-251S3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WMG07N65C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMG07N65C2 даташит

 ..1. Size:636K  way-on
 wml07n65c2 wmh07n65c2 wmm07n65c2 wmo07n65c2 wmp07n65c2 wmg07n65c2.pdf pdf_icon

WMG07N65C2

WML0 MM07N65C 07N65C2, WMH07N65C2, WM C2 WMO0 MG07N65C 07N65C2, WMP07N65C2, WM C2 650 Junction ET 0V 1.0 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce. TO-220F TO TO-25

Другие IGBT... HY1707PM, LTP70N06, ME7170-G, TP0610T, WML07N65C2, WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, IRFZ44, WMH07N65C2, 3N155, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF