3N173 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N173
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 350 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-72

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N173

3N173 Datasheet (PDF)

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3n172 3n173.pdf

Diode Protected P-ChannelEnhancement Mode MOSFETLLCGeneral Purpose Amplifier/Switch3N172 / 3N173FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: