3N173 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N173

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 350 Ohm

Encapsulados: TO-72

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3N173 datasheet

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3N173

Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET LLC General Purpose Amplifier/Switch 3N172 / 3N173 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .

Otros transistores... WMM07N65C2, WMO07N65C2, WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2, 3N155, 3N156, 3N172, IRF640N, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 3N60G, 3N80A, 3N80AF, 3SK195