Справочник MOSFET. 3N173

 

3N173 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N173
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 350 Ohm
   Тип корпуса: TO-72
 

 Аналог (замена) для 3N173

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N173 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  calogic
 3n172 3n173.pdf pdf_icon

3N173

Diode Protected P-ChannelEnhancement Mode MOSFETLLCGeneral Purpose Amplifier/Switch3N172 / 3N173FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A High Input Impedance Diode Protected Gate Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V 3N173. . . . . . . . . . .

Другие MOSFET... WMM07N65C2 , WMO07N65C2 , WMP07N65C2 , WMG07N65C2 , WMH07N65C2 , 3N155 , 3N156 , 3N172 , IRF630 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF , 3SK195 .

History: NCE2004NE | SML50A23 | IPP100N12S3-05 | IRF7905 | MI4800 | IPI200N25N3 | WML07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.