3N60G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N60G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N60G

3N60G Datasheet (PDF)

..1. Size:415K nell
3n60af 3n60f 3n60g.pdf

RoHS 3N60 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(3A, 600Volts)DESCRIPTIOND The Nell 3N60 is a three-terminal silicon Ddevice with current conduction capabilityof 3A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 600V,and max. threshold voltage of 4 volts.G They are designed for use in applications such

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History: HMS11N65F | SDF10N100SXH

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