3N60G Todos los transistores

 

3N60G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N60G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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3N60G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  nell
 3n60af 3n60f 3n60g.pdf pdf_icon

3N60G

RoHS 3N60 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(3A, 600Volts)DESCRIPTIOND The Nell 3N60 is a three-terminal silicon Ddevice with current conduction capabilityof 3A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 600V,and max. threshold voltage of 4 volts.G They are designed for use in applications such

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History: AOD4120 | SI2325DS | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | IXFA3N120 | NTUD3174NZ | RRR040P03TL

 

 
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