3N60G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N60G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de 3N60G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3N60G datasheet

 ..1. Size:415K  nell
 3n60af 3n60f 3n60g.pdf pdf_icon

3N60G

RoHS 3N60 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (3A, 600Volts) DESCRIPTION D The Nell 3N60 is a three-terminal silicon D device with current conduction capability of 3A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 600V, and max. threshold voltage of 4 volts. G They are designed for use in applications such

Otros transistores... 3N155, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 10N60, 3N80A, 3N80AF, 3SK195, 3SK263, 3SK264, 3SK295, 3SK296, 3SK297