3N60G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N60G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для 3N60G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N60G даташит

 ..1. Size:415K  nell
 3n60af 3n60f 3n60g.pdf pdf_icon

3N60G

RoHS 3N60 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (3A, 600Volts) DESCRIPTION D The Nell 3N60 is a three-terminal silicon D device with current conduction capability of 3A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 600V, and max. threshold voltage of 4 volts. G They are designed for use in applications such

Другие IGBT... 3N155, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, 3N189, 3N60AF, 3N60F, 10N60, 3N80A, 3N80AF, 3SK195, 3SK263, 3SK264, 3SK295, 3SK296, 3SK297