Справочник MOSFET. 3N60G

 

3N60G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N60G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 3N60G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N60G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  nell
 3n60af 3n60f 3n60g.pdf pdf_icon

3N60G

RoHS 3N60 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(3A, 600Volts)DESCRIPTIOND The Nell 3N60 is a three-terminal silicon Ddevice with current conduction capabilityof 3A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 600V,and max. threshold voltage of 4 volts.G They are designed for use in applications such

Другие MOSFET... 3N155 , 3N156 , 3N172 , 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , IRFB4227 , 3N80A , 3N80AF , 3SK195 , 3SK263 , 3SK264 , 3SK295 , 3SK296 , 3SK297 .

History: VB1106K | SSP70R380S2 | M7002NND03 | BFW10 | APT1201R4BLL | TK6A60D

 

 
Back to Top

 


 
.