3SK195 Todos los transistores

 

3SK195 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK195
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 75 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-143
 

 Búsqueda de reemplazo de 3SK195 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3SK195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  toshiba
 3sk195.pdf pdf_icon

3SK195

 9.1. Size:599K  1
 3sk192p 3sk192q.pdf pdf_icon

3SK195

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten

 9.2. Size:181K  1
 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf pdf_icon

3SK195

 9.3. Size:41K  1
 3sk194.pdf pdf_icon

3SK195

3SK194Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationVHF/UHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK194Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 15 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pc

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF , 2N7000 , 3SK263 , 3SK264 , 3SK295 , 3SK296 , 3SK297 , 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 .

History: 2N7225U | 2N7221U | 2N7222U

 

 
Back to Top

 


 
.