3SK195 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK195

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 14 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 75 Ohm

Encapsulados: SOT-143

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3SK195 datasheet

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Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Mainten

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3SK194 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application VHF/UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK194 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 15 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pc

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