3SK195 - описание и поиск аналогов

 

3SK195. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3SK195

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 14 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 75 Ohm

Тип корпуса: SOT-143

Аналог (замена) для 3SK195

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK195 даташит

 ..1. Size:226K  toshiba
3sk195.pdfpdf_icon

3SK195

 9.1. Size:599K  1
3sk192p 3sk192q.pdfpdf_icon

3SK195

Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Mainten

 9.2. Size:181K  1
3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdfpdf_icon

3SK195

 9.3. Size:41K  1
3sk194.pdfpdf_icon

3SK195

3SK194 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application VHF/UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK194 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 15 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pc

Другие MOSFET... 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF , 2N7000 , 3SK263 , 3SK264 , 3SK295 , 3SK296 , 3SK297 , 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 .

History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.