Справочник MOSFET. 3SK195

 

3SK195 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3SK195
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 75 Ohm
   Тип корпуса: SOT-143
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  toshiba
3sk195.pdfpdf_icon

3SK195

 9.1. Size:599K  1
3sk192p 3sk192q.pdfpdf_icon

3SK195

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten

 9.2. Size:181K  1
3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdfpdf_icon

3SK195

 9.3. Size:41K  1
3sk194.pdfpdf_icon

3SK195

3SK194Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationVHF/UHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK194Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 15 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pc

Другие MOSFET... 3N173 , 3N188 , 3N189 , 3N60AF , 3N60F , 3N60G , 3N80A , 3N80AF , IRF9540 , 3SK263 , 3SK264 , 3SK295 , 3SK296 , 3SK297 , 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 .

 

 
Back to Top

 


 
.