4AK17 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4AK17
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SP-10
Búsqueda de reemplazo de 4AK17 MOSFET
4AK17 Datasheet (PDF)
4ak17.pdf

4AK17Silicon N-Channel Power MOS FET ArrayApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistanceRDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 ARDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver4AK17OutlineSP-1
Otros transistores... 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , 3SK323 , MSAFX40N30A , 40P03 , AO3400 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF .
History: SI2333DS | ME4457-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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