4AK17 Todos los transistores

 

4AK17 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4AK17

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SP-10

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4AK17 datasheet

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4AK17

4AK17 Silicon N-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance RDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 A RDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver 4AK17 Outline SP-1

Otros transistores... 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , 3SK323 , MSAFX40N30A , 40P03 , AO3401 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF .

 

 

 

 

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