4AK17 Todos los transistores

 

4AK17 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4AK17
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SP-10
 

 Búsqueda de reemplazo de 4AK17 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

4AK17 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hitachi
 4ak17.pdf pdf_icon

4AK17

4AK17Silicon N-Channel Power MOS FET ArrayApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistanceRDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 ARDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver4AK17OutlineSP-1

Otros transistores... 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , 3SK323 , MSAFX40N30A , 40P03 , AO3400 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF .

History: WMM53N60F2 | IPP50R250CP | SML100B11F

 

 
Back to Top

 


 
.