4AK17. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4AK17

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SP-10

Аналог (замена) для 4AK17

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4AK17 даташит

 ..1. Size:51K  hitachi
 4ak17.pdf pdf_icon

4AK17

4AK17 Silicon N-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance RDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 A RDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver 4AK17 Outline SP-1

Другие IGBT... 3SK298, 3SK299, 3SK300, 3SK317, 3SK319, 3SK323, MSAFX40N30A, 40P03, AO3401, 4N60A, 4N60AF, 4N60G, 4N80A, 4N80AF, 50N02, 50N06A, 50N06AF