4AK17 - аналоги и даташиты транзистора

 

4AK17 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 4AK17
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SP-10
 

 Аналог (замена) для 4AK17

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4AK17 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hitachi
 4ak17.pdf pdf_icon

4AK17

4AK17Silicon N-Channel Power MOS FET ArrayApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistanceRDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 ARDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver4AK17OutlineSP-1

Другие MOSFET... 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , 3SK323 , MSAFX40N30A , 40P03 , IRFP260 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF .

History: IRF523FI | WMO80R720S | MTE050N15BRV8

 

 
Back to Top

 


 
.