Справочник MOSFET. 4AK17

 

4AK17 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 4AK17
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SP-10
 

 Аналог (замена) для 4AK17

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4AK17 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hitachi
 4ak17.pdf pdf_icon

4AK17

4AK17Silicon N-Channel Power MOS FET ArrayApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistanceRDS(on) 0.045 , VGS = 10 V, ID = 10 ARDS(on) 0.065 , VGS = 4 V, ID = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver4AK17OutlineSP-1

Другие MOSFET... 3SK298 , 3SK299 , 3SK300 , 3SK317 , 3SK319 , 3SK323 , MSAFX40N30A , 40P03 , AO3400 , 4N60A , 4N60AF , 4N60G , 4N80A , 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF .

History: AO4294 | 2SK1608 | SLI80R500SJ | NCE8205I | FHF10N65A | SM1A18NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.