5HB03N8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 5HB03N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.98 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SO-8

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5HB03N8 datasheet

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5HB03N8

5HB03N8 5HB03N8 5HB03N8 5HB03N8 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge Summary Summary Summary Summary ID ID ID ID Device V(BR)DSS QG RDS(on) Device V(BR)DSS QG RDS(on) Device V(BR)DSS QG RDS(on) D

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