5HB03N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 5HB03N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.98 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 5HB03N8

5HB03N8 Datasheet (PDF)

..1. Size:508K winsemi
5hb03n8.pdf

5HB03N85HB03N85HB03N85HB03N830V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-BridgeSummarySummarySummarySummaryIDIDIDIDDevice V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)D

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: