5HB03N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 5HB03N8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.87 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.98 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de 5HB03N8 MOSFET
5HB03N8 Datasheet (PDF)
5hb03n8.pdf

5HB03N85HB03N85HB03N85HB03N830V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-BridgeSummarySummarySummarySummaryIDIDIDIDDevice V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)D
Otros transistores... 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF , 50N06F , 50N06G , MSAFX50N20A , 50N30C , IRLZ44N , 5N20V , 5N60A , 5N60AF , 5N60G , 5N65A , 5N65AF , 5N65F , 5N65G .
History: STF12N50M2 | WMO07N65C4
History: STF12N50M2 | WMO07N65C4



Liste
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