5HB03N8 Todos los transistores

 

5HB03N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 5HB03N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.98 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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5HB03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  winsemi
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5HB03N8

5HB03N85HB03N85HB03N85HB03N830V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-BridgeSummarySummarySummarySummaryIDIDIDIDDevice V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)D

Otros transistores... 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF , 50N06F , 50N06G , MSAFX50N20A , 50N30C , IRLZ44N , 5N20V , 5N60A , 5N60AF , 5N60G , 5N65A , 5N65AF , 5N65F , 5N65G .

History: 2SJ661-DL-E | PHB145NQ06T

 

 
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