5HB03N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 5HB03N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для 5HB03N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5HB03N8 даташит

 ..1. Size:508K  winsemi
 5hb03n8.pdf pdf_icon

5HB03N8

5HB03N8 5HB03N8 5HB03N8 5HB03N8 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge Summary Summary Summary Summary ID ID ID ID Device V(BR)DSS QG RDS(on) Device V(BR)DSS QG RDS(on) Device V(BR)DSS QG RDS(on) D

Другие IGBT... 4N80AF, 50N02, 50N06A, 50N06AF, 50N06F, 50N06G, MSAFX50N20A, 50N30C, AON6380, 5N20V, 5N60A, 5N60AF, 5N60G, 5N65A, 5N65AF, 5N65F, 5N65G