Справочник MOSFET. 5HB03N8

 

5HB03N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5HB03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.98 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для 5HB03N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5HB03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  winsemi
 5hb03n8.pdf pdf_icon

5HB03N8

5HB03N85HB03N85HB03N85HB03N830V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-BridgeSummarySummarySummarySummaryIDIDIDIDDevice V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)D

Другие MOSFET... 4N80AF , 50N02 , 50N06A , 50N06AF , 50N06F , 50N06G , MSAFX50N20A , 50N30C , IRLZ44N , 5N20V , 5N60A , 5N60AF , 5N60G , 5N65A , 5N65AF , 5N65F , 5N65G .

History: FDG313ND87Z | IRFU220N | QS5U16 | 2N5019 | FQPF4N60 | IRF7807D2PBF | HM2305D

 

 
Back to Top

 


 
.