Справочник MOSFET. 5HB03N8

 

5HB03N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 5HB03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.98 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для 5HB03N8

 

 

5HB03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  winsemi
 5hb03n8.pdf

5HB03N8 5HB03N8

5HB03N85HB03N85HB03N85HB03N830V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-BridgeSummarySummarySummarySummaryIDIDIDIDDevice V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)Device V(BR)DSS QG RDS(on)D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top