5N20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 5N20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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5N20V datasheet

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5N20V

SMD Type Transistors SMD Type sistIC SMD Type anDiodes SMD Type MOSFET SMD Type TrMOSFETs SMD Type or SMD Type IC Product specification 5N20V TSSOP-8 Unit mm Features Typical RDS(on)=0.03 @ 4.5V Typical RDS(on)=0.037 @ 2.7V Ultra Low Threshold Standard Outline For Esay Automated Surface Mount Assembly Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-source

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