5N20V Todos los transistores

 

5N20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 5N20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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5N20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  tysemi
 5n20v.pdf pdf_icon

5N20V

SMD Type TransistorsSMD Type sistICSMD Type anDiodesSMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETsSMD Type orSMD Type ICProduct specification5N20VTSSOP-8Unit: mmFeaturesTypical RDS(on)=0.03 @ 4.5VTypical RDS(on)=0.037 @ 2.7VUltra Low ThresholdStandard Outline For Esay Automated Surface Mount AssemblyAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source

Otros transistores... 50N02 , 50N06A , 50N06AF , 50N06F , 50N06G , MSAFX50N20A , 50N30C , 5HB03N8 , AO4407 , 5N60A , 5N60AF , 5N60G , 5N65A , 5N65AF , 5N65F , 5N65G , 5N90A .

History: IRFS7540PBF | SIHF730AS | 10N70L-TF3-T | 10N80L-TF2-T | IRFU13N15D | SIHA22N60AE | IRF251

 

 
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