5N20V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 5N20V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для 5N20V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5N20V даташит

 ..1. Size:160K  tysemi
 5n20v.pdf pdf_icon

5N20V

SMD Type Transistors SMD Type sistIC SMD Type anDiodes SMD Type MOSFET SMD Type TrMOSFETs SMD Type or SMD Type IC Product specification 5N20V TSSOP-8 Unit mm Features Typical RDS(on)=0.03 @ 4.5V Typical RDS(on)=0.037 @ 2.7V Ultra Low Threshold Standard Outline For Esay Automated Surface Mount Assembly Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-source

Другие IGBT... 50N02, 50N06A, 50N06AF, 50N06F, 50N06G, MSAFX50N20A, 50N30C, 5HB03N8, IRF530, 5N60A, 5N60AF, 5N60G, 5N65A, 5N65AF, 5N65F, 5N65G, 5N90A