6HP04CH Todos los transistores

 

6HP04CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6HP04CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

6HP04CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  onsemi
 6hp04ch.pdf pdf_icon

6HP04CH

Ordering number : ENA1039A6HP04CHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)

 9.1. Size:146K  onsemi
 6hp04mh.pdf pdf_icon

6HP04CH

Ordering number : ENA0368A6HP04MHP-Channel Small Single MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) I

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History: APT8030B2VFR | TTP30P10AT | APM4550KC | PHB3N60E | IXTX22N100L | HSU90N03 | PMV55ENEA

 

 
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