6HP04CH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 6HP04CH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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6HP04CH datasheet

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6HP04CH

Ordering number ENA1039A 6HP04CH P-Channel Small Single MOSFET http //onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --60 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)

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6HP04CH

Ordering number ENA0368A 6HP04MH P-Channel Small Single MOSFET http //onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --60 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) I

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