6HP04CH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 6HP04CH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для 6HP04CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6HP04CH даташит

 ..1. Size:165K  onsemi
 6hp04ch.pdf pdf_icon

6HP04CH

Ordering number ENA1039A 6HP04CH P-Channel Small Single MOSFET http //onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 , Single CPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --60 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)

 9.1. Size:146K  onsemi
 6hp04mh.pdf pdf_icon

6HP04CH

Ordering number ENA0368A 6HP04MH P-Channel Small Single MOSFET http //onsemi.com 60V, 370mA, 4.2 Single MCPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --60 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) I

Другие IGBT... 5N65AF, 5N65F, 5N65G, 5N90A, 5N90AF, 65N06A, 65N06H, 6680A, 10N65, 6HP04MH, 6LN04SS, 6N60A, 6N60AF, 6N60F, 6N60G, 6N80A, 6N80AF