6LN04SS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6LN04SS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-416
Búsqueda de reemplazo de 6LN04SS MOSFET
6LN04SS Datasheet (PDF)
6ln04ss.pdf

Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I
Otros transistores... 5N65G , 5N90A , 5N90AF , 65N06A , 65N06H , 6680A , 6HP04CH , 6HP04MH , SKD502T , 6N60A , 6N60AF , 6N60F , 6N60G , 6N80A , 6N80AF , 6N90A , 6N90AF .
History: AUIRLU3110Z | STP2301
History: AUIRLU3110Z | STP2301



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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