6LN04SS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6LN04SS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.15 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.4 V
Carga de la puerta (Qg): 1 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.9 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.9 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-416
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6LN04SS Datasheet (PDF)
..1. Size:49K sanyo
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Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
