6LN04SS Todos los transistores

 

6LN04SS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6LN04SS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-416
 

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6LN04SS Datasheet (PDF)

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6LN04SS

Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I

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History: AUIRLU3110Z | STP2301

 

 
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