6LN04SS - аналоги и даташиты транзистора

 

6LN04SS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 6LN04SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416
 

 Аналог (замена) для 6LN04SS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6LN04SS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  sanyo
 6ln04ss.pdf pdf_icon

6LN04SS

Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I

Другие MOSFET... 5N65G , 5N90A , 5N90AF , 65N06A , 65N06H , 6680A , 6HP04CH , 6HP04MH , SKD502T , 6N60A , 6N60AF , 6N60F , 6N60G , 6N80A , 6N80AF , 6N90A , 6N90AF .

History: 17P10L-TA3-T | VBE1310 | 13N50L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.