6LN04SS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 6LN04SS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 5.9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.9 Ohm
Тип корпуса: SOT-416
6LN04SS Datasheet (PDF)
..1. Size:49K sanyo
6ln04ss.pdf
6ln04ss.pdf
Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
