6LN04SS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 6LN04SS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: SOT-416
Аналог (замена) для 6LN04SS
6LN04SS Datasheet (PDF)
6ln04ss.pdf

Ordering number : ENA09406LN04SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device6LN04SSApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) I
Другие MOSFET... 5N65G , 5N90A , 5N90AF , 65N06A , 65N06H , 6680A , 6HP04CH , 6HP04MH , SKD502T , 6N60A , 6N60AF , 6N60F , 6N60G , 6N80A , 6N80AF , 6N90A , 6N90AF .
History: WMO20P15TS | IRLML2060TR | IRF630P | STD140N6F7 | WMM26N65F2 | IPD640N06L
History: WMO20P15TS | IRLML2060TR | IRF630P | STD140N6F7 | WMM26N65F2 | IPD640N06L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet