MSAFA75N10C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAFA75N10C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: COOLPACK2

 Búsqueda de reemplazo de MSAFA75N10C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSAFA75N10C datasheet

 ..1. Size:82K  microsemi
 msafa75n10c.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

MSAFA75N10C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SANTA ANA DIVISION POWER MOSFET PRODUCT PREVIEW KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURES DESCRIPTION Ultrafast body diode New generation N-channel enhancement mode power MOSFET with Increased Unclamped rugged polysilicon gate structure and fast switching intrinsic rectifier. The Inductive Switching (UIS) very

 9.1. Size:54K  microsemi
 msafa1n100d.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

2830 S. Fairview Street Santa Ana, CA 92704 Phone (714) 979-8220 MSAFA1N100D Fax (714) 559-5989 Fast MOSFET Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications DESCRIPTION N-Channel enhancement mode high density MOSFET die Passivation oxynitride, 4um Frontside (top) Metallization Al/1%Cu for aluminum wire bonding, 9 um typical. Backside Metallization Ti N

Otros transistores... 6N60G, 6N80A, 6N80AF, 6N90A, 6N90AF, 75N08, 75N10A, 75N10B, 75N75, MSAFX76N07A, 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, 8N80AF