MSAFA75N10C Todos los transistores

 

MSAFA75N10C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSAFA75N10C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: COOLPACK2
 

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MSAFA75N10C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  microsemi
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MSAFA75N10C

MSAFA75N10C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SANTA ANA DIVISIONPOWER MOSFET PRODUCT PREVIEW KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURESKEY FEATURESDESCRIPTION Ultrafast body diode New generation N-channel enhancement mode power MOSFET with Increased Unclamped rugged polysilicon gate structure and fast switching intrinsic rectifier. The Inductive Switching (UIS) very

 9.1. Size:54K  microsemi
 msafa1n100d.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

2830 S. Fairview StreetSanta Ana, CA 92704Phone: (714) 979-8220MSAFA1N100DFax: (714) 559-5989Fast MOSFET Die forImplantable Cardio DefibrillatorApplicationsDESCRIPTION: N-Channel enhancement mode high density MOSFET die Passivation: oxynitride, 4um Frontside (top) Metallization: Al/1%Cu for aluminum wire bonding, 9 um typical. Backside Metallization: Ti N

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History: IRF7807Z | 11NM70L-TF3-T

 

 
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