Справочник MOSFET. MSAFA75N10C

 

MSAFA75N10C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSAFA75N10C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: COOLPACK2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFA75N10C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  microsemi
 msafa75n10c.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

MSAFA75N10C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SANTA ANA DIVISIONPOWER MOSFET PRODUCT PREVIEW KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURESKEY FEATURESDESCRIPTION Ultrafast body diode New generation N-channel enhancement mode power MOSFET with Increased Unclamped rugged polysilicon gate structure and fast switching intrinsic rectifier. The Inductive Switching (UIS) very

 9.1. Size:54K  microsemi
 msafa1n100d.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

2830 S. Fairview StreetSanta Ana, CA 92704Phone: (714) 979-8220MSAFA1N100DFax: (714) 559-5989Fast MOSFET Die forImplantable Cardio DefibrillatorApplicationsDESCRIPTION: N-Channel enhancement mode high density MOSFET die Passivation: oxynitride, 4um Frontside (top) Metallization: Al/1%Cu for aluminum wire bonding, 9 um typical. Backside Metallization: Ti N

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WM06N03LE | SIHG47N60S | IPB048N06LG | 9N95 | FDS4685 | AP2311GN | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.