MSAFA75N10C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSAFA75N10C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: COOLPACK2

Аналог (замена) для MSAFA75N10C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFA75N10C даташит

 ..1. Size:82K  microsemi
 msafa75n10c.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

MSAFA75N10C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SANTA ANA DIVISION POWER MOSFET PRODUCT PREVIEW KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURES DESCRIPTION Ultrafast body diode New generation N-channel enhancement mode power MOSFET with Increased Unclamped rugged polysilicon gate structure and fast switching intrinsic rectifier. The Inductive Switching (UIS) very

 9.1. Size:54K  microsemi
 msafa1n100d.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

2830 S. Fairview Street Santa Ana, CA 92704 Phone (714) 979-8220 MSAFA1N100D Fax (714) 559-5989 Fast MOSFET Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications DESCRIPTION N-Channel enhancement mode high density MOSFET die Passivation oxynitride, 4um Frontside (top) Metallization Al/1%Cu for aluminum wire bonding, 9 um typical. Backside Metallization Ti N

Другие IGBT... 6N60G, 6N80A, 6N80AF, 6N90A, 6N90AF, 75N08, 75N10A, 75N10B, 75N75, MSAFX76N07A, 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, 8N80AF