Справочник MOSFET. MSAFA75N10C

 

MSAFA75N10C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSAFA75N10C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: COOLPACK2
 

 Аналог (замена) для MSAFA75N10C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFA75N10C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  microsemi
 msafa75n10c.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

MSAFA75N10C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SANTA ANA DIVISIONPOWER MOSFET PRODUCT PREVIEW KEY FEATURES KEY FEATURES KEY FEATURESKEY FEATURESDESCRIPTION Ultrafast body diode New generation N-channel enhancement mode power MOSFET with Increased Unclamped rugged polysilicon gate structure and fast switching intrinsic rectifier. The Inductive Switching (UIS) very

 9.1. Size:54K  microsemi
 msafa1n100d.pdf pdf_icon

MSAFA75N10C

2830 S. Fairview StreetSanta Ana, CA 92704Phone: (714) 979-8220MSAFA1N100DFax: (714) 559-5989Fast MOSFET Die forImplantable Cardio DefibrillatorApplicationsDESCRIPTION: N-Channel enhancement mode high density MOSFET die Passivation: oxynitride, 4um Frontside (top) Metallization: Al/1%Cu for aluminum wire bonding, 9 um typical. Backside Metallization: Ti N

Другие MOSFET... 6N60G , 6N80A , 6N80AF , 6N90A , 6N90AF , 75N08 , 75N10A , 75N10B , IRF520 , MSAFX76N07A , 7N60AF , 7N60H , 7N90A , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF .

History: 2SJ503 | PSMN005-25D

 

 
Back to Top

 


 
.