7N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 7N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7N90A

7N90A Datasheet (PDF)

..1. Size:369K nell
7n90a 7n90af.pdf

RoHS 7N90 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET7A, 900VoltsDESCRIPTIOND The Nell 7N90 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 7A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as GGs

..2. Size:234K inchange semiconductor
7n90a.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor 7N90AFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching mode power suppliesGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

0.1. Size:928K samsung
ssf7n90a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

0.2. Size:930K samsung
ssh7n90a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

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Liste

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