Справочник MOSFET. 7N90A

 

7N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 7N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для 7N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  nell
7n90a 7n90af.pdfpdf_icon

7N90A

RoHS 7N90 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET7A, 900VoltsDESCRIPTIOND The Nell 7N90 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 7A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as GGs

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
7n90a.pdfpdf_icon

7N90A

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor 7N90AFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching mode power suppliesGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 0.1. Size:928K  samsung
ssf7n90a.pdfpdf_icon

7N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

 0.2. Size:930K  samsung
ssh7n90a.pdfpdf_icon

7N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

Другие MOSFET... 6N90AF , 75N08 , 75N10A , 75N10B , MSAFA75N10C , MSAFX76N07A , 7N60AF , 7N60H , NCEP15T14 , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , 9N25A .

History: PSMN015-60BS | SI4N65F | 2SK2751 | RYU002N05T306 | UPA2561T1H | IRF7507 | DMG1016UDW

 

 
Back to Top

 


 
.