8N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 8N80B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8N80B

8N80B Datasheet (PDF)

..1. Size:439K nell
8n80a 8n80af 8n80b.pdf

RoHS 8N80 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8A, 800Volts)DESCRIPTION The Nell 8N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A,fast switching speed, low on-state resistance,Dbreakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. suchas sw

0.1. Size:3382K goford
g8n80bf.pdf

GOFORDG8N80BFTO-220FPage 1HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 2HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 3HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 4HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORD

0.2. Size:1019K feihonltd
fhf8n80b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF8N80B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 14pF) Low Crss (typical 14pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.25 Fast switching Qg-typ 49nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: