8N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8N80B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PB
Búsqueda de reemplazo de 8N80B MOSFET
8N80B Datasheet (PDF)
8n80a 8n80af 8n80b.pdf

RoHS 8N80 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8A, 800Volts)DESCRIPTION The Nell 8N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A,fast switching speed, low on-state resistance,Dbreakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. suchas sw
g8n80bf.pdf

GOFORDG8N80BFTO-220FPage 1HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 2HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 3HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORDG8N80BFPage 4HTTP://www.gofordsemi.com TEL0755-29 961262 FAX0755-29961466 GOFORD
fhf8n80b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF8N80B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 14pF) Low Crss (typical 14pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.25 Fast switching Qg-typ 49nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
Otros transistores... MSAFX76N07A , 7N60AF , 7N60H , 7N90A , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 60N06 , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , 9N25A , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , AMA410N .
History: WMS175N10HG4 | HRP90N75K | NCE30P28Q | WNM07N60 | SWD2N60DC | WML26N60C4 | NTB082N65S3F
History: WMS175N10HG4 | HRP90N75K | NCE30P28Q | WNM07N60 | SWD2N60DC | WML26N60C4 | NTB082N65S3F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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