8N80B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8N80B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для 8N80B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8N80B даташит

 ..1. Size:439K  nell
 8n80a 8n80af 8n80b.pdf pdf_icon

8N80B

RoHS 8N80 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (8A, 800Volts) DESCRIPTION The Nell 8N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A, fast switching speed, low on-state resistance, D breakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. such as sw

 0.1. Size:3382K  goford
 g8n80bf.pdf pdf_icon

8N80B

GOFORD G8N80BF TO-220F Page 1 HTTP //www.gofordsemi.com TEL 0755-29 961262 FAX 0755-29961466 GOFORD G8N80BF Page 2 HTTP //www.gofordsemi.com TEL 0755-29 961262 FAX 0755-29961466 GOFORD G8N80BF Page 3 HTTP //www.gofordsemi.com TEL 0755-29 961262 FAX 0755-29961466 GOFORD G8N80BF Page 4 HTTP //www.gofordsemi.com TEL 0755-29 961262 FAX 0755-29961466 GOFORD

 0.2. Size:1019K  feihonltd
 fhf8n80b.pdf pdf_icon

8N80B

N N-CHANNEL MOSFET FHF8N80B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 14pF) Low Crss (typical 14pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.25 Fast switching Qg-typ 49nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Другие IGBT... MSAFX76N07A, 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, 8N80AF, IRLB3034, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N