MSAEX8P50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSAEX8P50A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: COOLPACK2
Búsqueda de reemplazo de MSAEX8P50A MOSFET
MSAEX8P50A Datasheet (PDF)
msaex8p50a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAEX8P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet with parallel fast switching, softrecovery fred; complements MSAFX24N50A8 Amps Ultrafast body diode Rugged polysilicon gate cell structure1.2 Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermet
Otros transistores... 7N60AF , 7N60H , 7N90A , 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 8N80B , MMD60R360PRH , NID9N05ACL , 9N25A , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , AMA410N , AMA420N .
History: LSH50R160HT | BLF7G27LS-150P | IRF7309TRPBF | APTC60DDAM45CT1G | 2SK3340-01 | APTC60HM70SCTG | WMB119N12LG4
History: LSH50R160HT | BLF7G27LS-150P | IRF7309TRPBF | APTC60DDAM45CT1G | 2SK3340-01 | APTC60HM70SCTG | WMB119N12LG4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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