MSAEX8P50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAEX8P50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: COOLPACK2

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MSAEX8P50A datasheet

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MSAEX8P50A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAEX8P50A Features 500 Volts High voltage p-channel power mosfet with parallel fast switching, soft recovery fred; complements MSAFX24N50A 8 Amps Ultrafast body diode Rugged polysilicon gate cell structure 1.2 Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermet

Otros transistores... 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, 8N80AF, 8N80B, IRF9640, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N, AMA420N