MSAEX8P50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSAEX8P50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: COOLPACK2

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MSAEX8P50A Datasheet (PDF)

..1. Size:34K microsemi
msaex8p50a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAEX8P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet with parallel fast switching, softrecovery fred; complements MSAFX24N50A8 Amps Ultrafast body diode Rugged polysilicon gate cell structure1.2 Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermet

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History: SML80H14 | DG2N65-220

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: