MSAEX8P50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSAEX8P50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: COOLPACK2

Аналог (замена) для MSAEX8P50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAEX8P50A даташит

 ..1. Size:34K  microsemi
 msaex8p50a.pdf pdf_icon

MSAEX8P50A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAEX8P50A Features 500 Volts High voltage p-channel power mosfet with parallel fast switching, soft recovery fred; complements MSAFX24N50A 8 Amps Ultrafast body diode Rugged polysilicon gate cell structure 1.2 Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermet

Другие IGBT... 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N90AF, 8N60H, 8N80A, 8N80AF, 8N80B, IRF9640, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N, AMA420N