Справочник MOSFET. MSAEX8P50A

 

MSAEX8P50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSAEX8P50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: COOLPACK2

 Аналог (замена) для MSAEX8P50A

 

 

MSAEX8P50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  microsemi
 msaex8p50a.pdf

MSAEX8P50A MSAEX8P50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAEX8P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet with parallel fast switching, softrecovery fred; complements MSAFX24N50A8 Amps Ultrafast body diode Rugged polysilicon gate cell structure1.2 Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermet

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ292

 

 
Back to Top