9N25AF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9N25AF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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9N25AF datasheet

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9N25AF

RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (8.8A, 250Volts) DESCRIPTION D The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commut

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