9N25AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 9N25AF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26.5 nC
Время нарастания (tr): 85 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.43 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
9N25AF Datasheet (PDF)
..1. Size:423K nell
9n25a 9n25af.pdf
9n25a 9n25af.pdf
RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8.8A, 250Volts)DESCRIPTIOND The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed tominimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energypulse in the avalanche and commut
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
