Справочник MOSFET. 9N25AF

 

9N25AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 9N25AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 9N25AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N25AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  nell
 9n25a 9n25af.pdf pdf_icon

9N25AF

RoHS 9N25 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8.8A, 250Volts)DESCRIPTIOND The Nell 9N25 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed tominimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energypulse in the avalanche and commut

Другие MOSFET... 7N90AF , 8N60H , 8N80A , 8N80AF , 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , 9N25A , IRF9640 , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , AMA410N , AMA420N , AMA421P , AMA423P , AMA430N .

History: STB18N60M2 | GSM4535W | PSMN3R8-100BS | SFW107N200C3 | APM1105NU

 

 
Back to Top

 


 
.