9N90B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9N90B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

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9N90B datasheet

 ..1. Size:381K  nell
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9N90B

RoHS 9N90 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 9A, 900Volts DESCRIPTION D The Nell 9N90 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 9A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as G G D

 ..2. Size:1042K  cn wxdh
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9N90B

9N90B 9A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 900V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 9.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) = 920m 2 Features Fast switching ESD impr

 0.1. Size:1487K  jilin sino
 jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf pdf_icon

9N90B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

Otros transistores... 8N60H, 8N80A, 8N80AF, 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, EMB04N03H, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N, AMA420N, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P