9N90B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 9N90B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 9N90B

9N90B Datasheet (PDF)

..1. Size:381K nell
9n90b 9n90c.pdf

RoHS 9N90 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET9A, 900VoltsDESCRIPTIOND The Nell 9N90 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 9A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as GGD

0.1. Size:1487K jilin sino
jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: