9N90B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9N90B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для 9N90B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N90B даташит

 ..1. Size:381K  nell
 9n90b 9n90c.pdf pdf_icon

9N90B

RoHS 9N90 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 9A, 900Volts DESCRIPTION D The Nell 9N90 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 9A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as G G D

 ..2. Size:1042K  cn wxdh
 9n90b.pdf pdf_icon

9N90B

9N90B 9A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 900V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 9.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) = 920m 2 Features Fast switching ESD impr

 0.1. Size:1487K  jilin sino
 jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf pdf_icon

9N90B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

Другие IGBT... 8N60H, 8N80A, 8N80AF, 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, EMB04N03H, 9N90C, AMA2N7002, AMA410N, AMA420N, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P