AMA2N7002 Todos los transistores

 

AMA2N7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMA2N7002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89
 

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AMA2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  ait semi
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AMA2N7002

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected: 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

Otros transistores... 8N80AF , 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , 9N25A , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , MMIS60R580P , AMA410N , AMA420N , AMA421P , AMA423P , AMA430N , AMA433P , AMA440N , AMA450N .

History: MTNN8451KQ8 | STB36NM60ND | STT4P3LLH6 | BLP022N10-BA | BLP023N10-BA | BLP04N10-P | FQPF5N80

 

 
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