AMA2N7002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA2N7002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: SC-89

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AMA2N7002 datasheet

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AMA2N7002

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

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