AMA2N7002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMA2N7002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.154 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SC-89

Аналог (замена) для AMA2N7002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA2N7002 даташит

 ..1. Size:546K  ait semi
 ama2n7002.pdf pdf_icon

AMA2N7002

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

Другие IGBT... 8N80AF, 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, MMIS60R580P, AMA410N, AMA420N, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P, AMA440N, AMA450N